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同惠TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀
日期:2025-09-02 02:14
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摘要:同惠TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀三個電容的CV特性描述為:在給定的工作條件下,這三個電容的電容值會隨著VDS電壓的增加而呈現(xiàn)下降的趨勢。其中一個關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個電容不是恒定的,它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化,同時會影響柵極和源極電容的充電。
同惠TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀
一、功率器件的米勒效應(yīng)、CV特性
1、MOS管的寄生電容
以臺灣育碧VBZM7N60為例MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds以及柵極電阻Rg。
三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合的關(guān)系,它們并不是獨(dú)立的,而是相互影響,其中一個關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個電容不是恒定的,它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化,同時會影響柵極和源極電容的充電。
規(guī)格書上對上述三個電容的CV特性描述為:在給定的工作條件下,這三個電容的電容值會隨著VDS電壓的增加而呈現(xiàn)下降的趨勢。
2、MOS管的米勒效應(yīng)
理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波,當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOS管就會進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。實(shí)際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中,由于米勒效應(yīng),會存在一個米勒平臺。米勒平臺實(shí)際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志,所以導(dǎo)致開通損耗很大。

3、寄生電容、CV特性、柵極電阻Rg測試技術(shù)
由前述知識可見,功率器件的寄生電容的測試,需要滿足下列幾點(diǎn):
①由于寄生電容基本在pF級別至nF級別,測試頻率至少需要100kHz-1MHz,這些可由參數(shù)表找到;
②測試寄生電容時,用于測試的LCR或者阻抗分析儀至少需要2路直流電源,其中VDS需要電壓很高,由幾十V至幾百V,第三代半導(dǎo)體功率器件甚至需要幾千V;
③參數(shù)表中CV特性曲線,需要可變的VDS,因此DS電壓源需要可調(diào)電源。
二、半導(dǎo)體功率器件CV特性測試痛點(diǎn)
現(xiàn)今,市場上功率器件CV特性測試儀器,普遍存在下列痛點(diǎn):
進(jìn)口設(shè)備功能全、一體化集成度高、測試準(zhǔn)確,但是有如下缺點(diǎn):
a) 價格昂貴,動則幾十萬甚至上百萬的價格,一般企業(yè)很難承受。
b) 操作繁瑣,集成了太多功能加上大多英文化的操作界面,對于用戶操作并不友好。
c) 測試效率低,一臺設(shè)備可能完成動態(tài)特性、靜態(tài)特性的全部測試,但是接線復(fù)雜、操作難度大,測試結(jié)果用時較長, 測試效率無法保障。
在進(jìn)口設(shè)備無法滿足用戶測試需求的情況下,國產(chǎn)設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生,以相對功能單一、操作方便、價格低廉快速占領(lǐng)了一部分市場,但是,這些設(shè)備同樣也有如下缺點(diǎn):
a) 體積龐大,大多數(shù)國產(chǎn)設(shè)備,由于沒有專業(yè)的電容測試經(jīng)驗(yàn),通常是用幾臺電源、一臺LCR、工控機(jī)或者PLC、機(jī)箱、 測試工裝等組合而成,因此體積過大,無法適用于自動化產(chǎn)線快速生產(chǎn)。
b) 漏源電壓VDS過低,大多*高只能達(dá)到1200V左右,已無法滿足第三代半導(dǎo)體功率器件測試需求。
c) 測量精度低,由于缺乏專業(yè)電容測量經(jīng)驗(yàn),加上過多的轉(zhuǎn)接,導(dǎo)致電容特別是pF級別的小電容無法達(dá)到合適的測量精度。
d) 測試效率低,同樣由于組合儀器過多,加上需用工控機(jī)或PLC控制過多儀器,導(dǎo)致測試單個器件時間過長。
e) 擴(kuò)展性差,由于設(shè)備過多,各種儀器不同的編程協(xié)議,很難開放第三方接入以集成至客戶產(chǎn)線自動化測試整體方案中。
三、同惠半導(dǎo)體功率器件CV特性解決方案
針對當(dāng)前測試痛點(diǎn),同惠電子作為國產(chǎn)器件測量儀器頭部企業(yè),責(zé)無旁貸的擔(dān)負(fù)起進(jìn)口儀器國產(chǎn)化替代的責(zé)任,本著為客戶所想、為客戶分憂的精神,契合市場熱點(diǎn)及需求,及時推出了針對半導(dǎo)體功率器件CV特性的一體化、系列化解決方案。
單管或者多個MOSFET、IGBT測試解決方案
單管器件或者多個單管器件測試相對簡單,同惠提供了TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀即可滿足基本測試要求。TH510系列半導(dǎo)體半導(dǎo)體C-V特性分析儀基本情況如下:

四、多芯器件或模組MOSFET、IGBT測試方案
多芯器件、模組器件由于內(nèi)部集成多個MOSFET、IGBT芯片,而且內(nèi)部電路比較復(fù)雜,因此,測試相對復(fù)雜。
由上圖可見,部分多芯器件、模組器件由于腳位眾多、核心多、有貼片封裝、異形封裝等,如果用單機(jī)去測試,接線都很困難,而要完成整顆器件測試更是難上加難。因此,同惠為此開發(fā)了針對模組式器件的測試系統(tǒng):
整套系統(tǒng)基于TH510系列半導(dǎo)體CV特性分析儀,加上定制工裝、上位機(jī)軟件等組成了一套完整的測試、數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)。
綜上所述,同惠功率器件CV特性測試解決方案為半導(dǎo)體測試帶來了一個精準(zhǔn)、高效、穩(wěn)定的測試選擇。未來,隨著技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,我們同惠將繼續(xù)為行業(yè)帶來更多的**與突破,助力國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展。
一、功率器件的米勒效應(yīng)、CV特性
1、MOS管的寄生電容
以臺灣育碧VBZM7N60為例MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds以及柵極電阻Rg。
三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合的關(guān)系,它們并不是獨(dú)立的,而是相互影響,其中一個關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個電容不是恒定的,它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化,同時會影響柵極和源極電容的充電。
規(guī)格書上對上述三個電容的CV特性描述為:在給定的工作條件下,這三個電容的電容值會隨著VDS電壓的增加而呈現(xiàn)下降的趨勢。
2、MOS管的米勒效應(yīng)
理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波,當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOS管就會進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。實(shí)際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中,由于米勒效應(yīng),會存在一個米勒平臺。米勒平臺實(shí)際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志,所以導(dǎo)致開通損耗很大。

3、寄生電容、CV特性、柵極電阻Rg測試技術(shù)
由前述知識可見,功率器件的寄生電容的測試,需要滿足下列幾點(diǎn):
①由于寄生電容基本在pF級別至nF級別,測試頻率至少需要100kHz-1MHz,這些可由參數(shù)表找到;
②測試寄生電容時,用于測試的LCR或者阻抗分析儀至少需要2路直流電源,其中VDS需要電壓很高,由幾十V至幾百V,第三代半導(dǎo)體功率器件甚至需要幾千V;
③參數(shù)表中CV特性曲線,需要可變的VDS,因此DS電壓源需要可調(diào)電源。
二、半導(dǎo)體功率器件CV特性測試痛點(diǎn)
現(xiàn)今,市場上功率器件CV特性測試儀器,普遍存在下列痛點(diǎn):
進(jìn)口設(shè)備功能全、一體化集成度高、測試準(zhǔn)確,但是有如下缺點(diǎn):
a) 價格昂貴,動則幾十萬甚至上百萬的價格,一般企業(yè)很難承受。
b) 操作繁瑣,集成了太多功能加上大多英文化的操作界面,對于用戶操作并不友好。
c) 測試效率低,一臺設(shè)備可能完成動態(tài)特性、靜態(tài)特性的全部測試,但是接線復(fù)雜、操作難度大,測試結(jié)果用時較長, 測試效率無法保障。
在進(jìn)口設(shè)備無法滿足用戶測試需求的情況下,國產(chǎn)設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生,以相對功能單一、操作方便、價格低廉快速占領(lǐng)了一部分市場,但是,這些設(shè)備同樣也有如下缺點(diǎn):
a) 體積龐大,大多數(shù)國產(chǎn)設(shè)備,由于沒有專業(yè)的電容測試經(jīng)驗(yàn),通常是用幾臺電源、一臺LCR、工控機(jī)或者PLC、機(jī)箱、 測試工裝等組合而成,因此體積過大,無法適用于自動化產(chǎn)線快速生產(chǎn)。
b) 漏源電壓VDS過低,大多*高只能達(dá)到1200V左右,已無法滿足第三代半導(dǎo)體功率器件測試需求。
c) 測量精度低,由于缺乏專業(yè)電容測量經(jīng)驗(yàn),加上過多的轉(zhuǎn)接,導(dǎo)致電容特別是pF級別的小電容無法達(dá)到合適的測量精度。
d) 測試效率低,同樣由于組合儀器過多,加上需用工控機(jī)或PLC控制過多儀器,導(dǎo)致測試單個器件時間過長。
e) 擴(kuò)展性差,由于設(shè)備過多,各種儀器不同的編程協(xié)議,很難開放第三方接入以集成至客戶產(chǎn)線自動化測試整體方案中。
三、同惠半導(dǎo)體功率器件CV特性解決方案
針對當(dāng)前測試痛點(diǎn),同惠電子作為國產(chǎn)器件測量儀器頭部企業(yè),責(zé)無旁貸的擔(dān)負(fù)起進(jìn)口儀器國產(chǎn)化替代的責(zé)任,本著為客戶所想、為客戶分憂的精神,契合市場熱點(diǎn)及需求,及時推出了針對半導(dǎo)體功率器件CV特性的一體化、系列化解決方案。
單管或者多個MOSFET、IGBT測試解決方案
單管器件或者多個單管器件測試相對簡單,同惠提供了TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀即可滿足基本測試要求。TH510系列半導(dǎo)體半導(dǎo)體C-V特性分析儀基本情況如下:

四、多芯器件或模組MOSFET、IGBT測試方案
多芯器件、模組器件由于內(nèi)部集成多個MOSFET、IGBT芯片,而且內(nèi)部電路比較復(fù)雜,因此,測試相對復(fù)雜。
由上圖可見,部分多芯器件、模組器件由于腳位眾多、核心多、有貼片封裝、異形封裝等,如果用單機(jī)去測試,接線都很困難,而要完成整顆器件測試更是難上加難。因此,同惠為此開發(fā)了針對模組式器件的測試系統(tǒng):
整套系統(tǒng)基于TH510系列半導(dǎo)體CV特性分析儀,加上定制工裝、上位機(jī)軟件等組成了一套完整的測試、數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)。
綜上所述,同惠功率器件CV特性測試解決方案為半導(dǎo)體測試帶來了一個精準(zhǔn)、高效、穩(wěn)定的測試選擇。未來,隨著技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,我們同惠將繼續(xù)為行業(yè)帶來更多的**與突破,助力國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展。